Samsung начинает массовое производство 8 ГБ микросхем HBM2 второго поколения

Корпорация Samsung Electronics в официальном пресс-релизе сообщила о начале массового производства многослойных микросхем ОЗУ HBM2 второго поколения объемом 8 ГБ. Новые чипы получили кодовое наименование Aquabolt и характеризуются возросшей пропускной способностью интерфейса памяти по сравнению с предшественниками. Микросхемы найдут применение во многих компьютерных областях и устройствах где требуются высокопроизводительные вычисления, но рядовому покупателю они наиболее интересны в качестве компонентов high-end видеокарт.

8 ГБ чипы Samsung HBM2 второго поколения обеспечивают пропускную способность 2,4 Гбит/с на контакт при напряжении питания 1,2 В. Напомним, аналогичные микросхемы Samsung первого поколения обладают скоростью передачи данных 1,6 Гбит/с на контакт при напряжении 1,2 В или 2,0 Гбит/с при 1,35 В. Таким образом, в пределах одного уровня напряжения рост быстродействия составляет 50%.

Общая пропускная способность одной новой микросхемы Samsung HBM2 составляет 307 Гбайт/с. Соответственно, четыре такие микросхемы суммарным объемом 32 ГБ смогут обеспечить ПСП на уровне 1,2 Тбайт/с. Для достижения таких показателей, компания усовершенствовала технологию вертикальных соединений through-silicon-via (TSV) и увеличила количество контактных элементов между слоями. Кроме того, была увеличена толщина подложки, что должно положительно сказаться на общей надежности модуля.