<strong>г. Магнитогорск, пр. Ленина, 156А. ТЦ "Дельфин", 2-й этаж, Павильон №4. Тел. 453030, 459469.</strong> г. Магнитогорск, пр. Ленина, 156А. ТЦ "Дельфин", 2-й этаж, Павильон №4. Тел. 453030, 459469.

Samsung начинает массовое производство 8 ГБ микросхем HBM2 второго поколения

Автор: Dimm. Опубликовано в Новости мира ПК и ИТ

11012018 1

11012018 1

Корпорация Samsung Electronics в официальном пресс-релизе сообщила о начале массового производства многослойных микросхем ОЗУ HBM2 второго поколения объемом 8 ГБ. Новые чипы получили кодовое наименование Aquabolt и характеризуются возросшей пропускной способностью интерфейса памяти по сравнению с предшественниками. Микросхемы найдут применение во многих компьютерных областях и устройствах где требуются высокопроизводительные вычисления, но рядовому покупателю они наиболее интересны в качестве компонентов high-end видеокарт.

8 ГБ чипы Samsung HBM2 второго поколения обеспечивают пропускную способность 2,4 Гбит/с на контакт при напряжении питания 1,2 В. Напомним, аналогичные микросхемы Samsung первого поколения обладают скоростью передачи данных 1,6 Гбит/с на контакт при напряжении 1,2 В или 2,0 Гбит/с при 1,35 В. Таким образом, в пределах одного уровня напряжения рост быстродействия составляет 50%.

Общая пропускная способность одной новой микросхемы Samsung HBM2 составляет 307 Гбайт/с. Соответственно, четыре такие микросхемы суммарным объемом 32 ГБ смогут обеспечить ПСП на уровне 1,2 Тбайт/с. Для достижения таких показателей, компания усовершенствовала технологию вертикальных соединений through-silicon-via (TSV) и увеличила количество контактных элементов между слоями. Кроме того, была увеличена толщина подложки, что должно положительно сказаться на общей надежности модуля.

Обсудить на форуме (комментариев 0).

Добавить комментарий


Защитный код
Обновить

Еще статьи...

© "Дельта Информ", Магнитогорск,  2005 - 2018. Designed by Dimm © 2012 - 2018 Point